Halvledersilisiumkarbid (SiC) wafere, har dette nye materialet gradvis dukket opp de siste årene, med sine unike fysiske og kjemiske egenskaper, injisert en ny vitalitet for halvlederindustrien.SiC wafere, som bruker monokrystaller som råmateriale, dyrkes forsiktig ved kjemisk dampavsetning (CVD), og deres utseende gir muligheter for produksjon av høytemperatur-, høyfrekvente og høyeffekts elektroniske enheter.
Innen kraftelektronikk,SiC waferebrukes til produksjon av høyeffektive strømomformere, ladere, strømforsyninger og andre produkter. Innen kommunikasjon brukes den til å produsere høyfrekvente og høyhastighets RF-enheter og optoelektroniske enheter, og legger en solid hjørnestein for motorveien i informasjonsalderen. Innen bilelektronikk,SiC waferelage høyspente, svært pålitelige elektroniske enheter for biler for å eskortere førerens kjøresikkerhet.
Med kontinuerlig utvikling av teknologi, produksjonsteknologiSiC wafereblir mer og mer moden, og prisen synker gradvis. Dette nye materialet viser et stort potensial for å forbedre enhetens ytelse, redusere energiforbruket og forbedre produktets konkurranseevne. Ser fremover,SiC waferevil spille en viktigere rolle i halvlederindustrien, og bringe mer bekvemmelighet og sikkerhet til livene våre.
La oss se frem til denne lyse halvlederstjernen - SiC wafer, for fremtiden for vitenskapelig og teknologisk fremgang for å beskrive et mer strålende kapittel.
Innleggstid: 27. november 2023