Det termiske oksydlaget til en silisiumplate er et oksydlag eller silisiumlag dannet på den nakne overflaten av en silisiumplate under høye temperaturforhold med et oksidasjonsmiddel.Det termiske oksidlaget av silisiumwafer dyrkes vanligvis i en horisontal rørovn, og veksttemperaturområdet er generelt 900 ° C ~ 1200 ° C, og det er to vekstmåter for "våt oksidasjon" og "tørr oksidasjon".Det termiske oksidlaget er et "vokst" oksidlag som har høyere homogenitet og høyere dielektrisk styrke enn det CVD-avsatte oksidlaget.Det termiske oksidlaget er et utmerket dielektrisk lag som isolator.I mange silisiumbaserte enheter spiller det termiske oksidlaget en viktig rolle som et dopingblokkerende lag og overflatedielektrisk.
Tips: Oksidasjonstype
1. Tørroksidasjon
Silisiumet reagerer med oksygen, og oksidlaget beveger seg mot basallaget.Tørroksidasjon må utføres ved en temperatur på 850 til 1200 ° C, og veksthastigheten er lav, noe som kan brukes til MOS-isolasjonsportvekst.Når det kreves et ultratynt silisiumoksidlag av høy kvalitet, foretrekkes tørroksidasjon fremfor våtoksidasjon.
Tørroksidasjonskapasitet: 15nm ~ 300nm (150A ~ 3000A)
2. Våtoksidasjon
Denne metoden bruker en blanding av hydrogen og oksygen med høy renhet for å brenne ved ~1000 ° C, og produserer dermed vanndamp for å danne et oksidlag.Selv om våt oksidasjon ikke kan produsere like høy kvalitet oksidasjon lag som tørr oksidasjon, men nok til å brukes som en isolasjon sone, sammenlignet med tørr oksidasjon har en klar fordel er at den har en høyere veksthastighet.
Våtoksidasjonskapasitet: 50nm~ 15µm (500A ~15µm)
3. Tørr metode - våt metode - tørr metode
I denne metoden frigjøres rent tørt oksygen i oksidasjonsovnen i det innledende stadiet, hydrogen tilsettes midt i oksidasjonen, og hydrogen lagres til slutt for å fortsette oksidasjonen med rent tørr oksygen for å danne en tettere oksidasjonsstruktur enn den vanlige våtoksidasjonsprosessen i form av vanndamp.
4. TEOS-oksidasjon
| Oksidasjonsteknikk | Våtoksidasjon eller tørroksidasjon |
| Diameter | 2" / 3" / 4" / 6" / 8" / 12" |
| Oksydtykkelse | 100 Å ~ 15 µm |
| Toleranse | +/- 5 % |
| Flate | Enkeltsideoksidasjon (SSO) / Dobbeltsideoksidasjon (DSO) |
| Ovn | Horisontal rørovn |
| Gass | Hydrogen og oksygengass |
| Temperatur | 900 ℃ ~ 1200 ℃ |
| Brytningsindeks | 1.456 |
