Grafitt Susceptor med silisiumkarbidbelegg 8 tommers wafer Carrier

CVD-SiC belegghar egenskapene til ensartet struktur, kompakt materiale, høy temperaturbestandighet, oksidasjonsmotstand, høy renhet, syre- og alkaliresistens og organisk reagens, med stabile fysiske og kjemiske egenskaper.
 
Sammenlignet med grafittmaterialer med høy renhet, begynner grafitt å oksidere ved 400C, noe som vil føre til tap av pulver på grunn av oksidasjon, noe som resulterer i miljøforurensning til perifere enheter og vakuumkamre, og øke urenheter i miljø med høy renhet.
ImidlertidSiC beleggkan opprettholde fysisk og kjemisk stabilitet ved 1600 grader, det er mye brukt i moderne industri, spesielt i halvlederindustrien.