SiC Coated Graphite Base Susceptorer for MOCVD

SiC-belagte grafittbase-susceptorerfor MOCVD fra semicera er konstruert for å gi eksepsjonell ytelse i epitaksiale vekstprosesser. Det høykvalitets silisiumkarbidbelegget på grafittbasen sikrer stabilitet, holdbarhet og optimal varmeledningsevne under MOCVD-operasjoner (Metal Organic Chemical Vapor Deposition). Ved å bruke semiceras innovative susceptorteknologi kan du oppnå økt presisjon og effektivitet iSi EpitaksiogSiC Epitaksiapplikasjoner.

DisseMOCVD-susceptorerer designet for å støtte en rekke essensielle halvlederkomponenter, som f.eksPSS Etsningsbærer, ICP Etsningsbærer, ogRTP-operatør, noe som gjør dem allsidige for ulike etsings- og epitaksiale oppgaver. Semiceras forpliktelse til høye standarder sikrer at disse susceptorene oppfyller de strenge kravene til moderne halvlederproduksjon.

Ideell for bruk iLED epitaksialSusceptor-, Barrel Susceptor- og Monokrystallinsk silisium-prosesser, kan disse susceptorene tilpasses for forskjellige waferstørrelser, inkludert Pancake Susceptor-konfigurasjoner. De er også svært effektive i håndtering av fotovoltaiske deler, noe som gjør dem til en avgjørende komponent i utviklingen av effektive solceller.

I tillegg er SiC Coated Graphite Base Susceptors for MOCVD optimalisert for GaN på SiC Epitaxy, og tilbyr høy kompatibilitet med avanserte halvledermaterialer. Enten du er fokusert på å forbedre avkastningen eller forbedre kvaliteten på epitaksial vekst, gir semiceras susceptorer den påliteligheten og ytelsen som trengs for å lykkes i høyteknologiske industrier.