Som en av kjernekomponentene iMOCVD utstyr, grafittbase er bæreren og varmelegemet til substratet, som direkte bestemmer jevnheten og renheten til filmmaterialet, så kvaliteten påvirker direkte forberedelsen av epitaksialarket, og samtidig med økningen av antall bruksområder og endring av arbeidsforhold, er det veldig lett å ha på seg, som tilhører forbruksmateriellet.
Selv om grafitt har utmerket varmeledningsevne og stabilitet, har den en god fordel som en basiskomponent avMOCVD utstyr, men i produksjonsprosessen vil grafitt korrodere pulveret på grunn av rester av etsende gasser og metalliske organiske stoffer, og levetiden til grafittbasen vil bli kraftig redusert.Samtidig vil det fallende grafittpulveret forårsake forurensning til brikken.
Fremveksten av beleggteknologi kan gi overflatepulverfiksering, forbedre termisk ledningsevne og utjevne varmefordelingen, som har blitt hovedteknologien for å løse dette problemet.Grafittbase iMOCVD utstyrbruksmiljø, grafittbaseoverflatebelegg bør oppfylle følgende egenskaper:
(1) Grafittbasen kan pakkes helt inn, og tettheten er god, ellers er grafittbasen lett å bli korrodert i den korrosive gassen.
(2) Kombinasjonsstyrken med grafittbasen er høy for å sikre at belegget ikke er lett å falle av etter flere høytemperatur- og lavtemperatursykluser.
(3) Den har god kjemisk stabilitet for å unngå beleggsvikt i høy temperatur og korrosiv atmosfære.
SiC har fordelene med korrosjonsbestandighet, høy termisk ledningsevne, termisk sjokkbestandighet og høy kjemisk stabilitet, og kan fungere godt i GaN epitaksial atmosfære.I tillegg skiller den termiske ekspansjonskoeffisienten til SiC seg svært lite fra den for grafitt, så SiC er det foretrukne materialet for overflatebelegg av grafittbase.
For tiden er den vanlige SiC hovedsakelig 3C, 4H og 6H-typen, og SiC-bruken til forskjellige krystalltyper er forskjellige.For eksempel kan 4H-SiC produsere enheter med høy effekt;6H-SiC er den mest stabile og kan produsere fotoelektriske enheter;På grunn av sin lignende struktur som GaN, kan 3C-SiC brukes til å produsere GaN epitaksiallag og produsere SiC-GaN RF-enheter.3C-SiC er også kjent somβ-SiC, og en viktig bruk avβ-SiC er som film og beleggmateriale, altsåβ-SiC er for tiden hovedmaterialet for belegg.
Innleggstid: Nov-06-2023