Silisiumkarbid ovnsrørhar høy styrke, høy hardhet, god slitestyrke, høy temperaturbestandighet, korrosjonsbestandighet, god varmebestandighet og støtmotstand, stor termisk ledningsevne, god oksidasjonsmotstand og andre utmerkede funksjoner, hovedsakelig brukt i mellomfrekvent støping, ulike varmebehandlingsovner, metallurgi , kjemisk industri, trening av ikke-jernholdige metaller og andre yrker.
Kjennetegn påovnsrør av silisiumkarbid
Silisiumkarbid ovnsrører silisiumkarbid som hovedråstoff, utmerketsilisiumkarbidprodukterlaget ved høytemperaturfyring, med høy temperaturmotstand, rask varmeledningsevne, høy styrke, høy hardhet, god slitestyrke, god varmebestandighet og jordskjelvmotstand, god varmeledningsevne, god oksidasjonsmotstand og andre utmerkede funksjoner i begge ender av installasjonen av spesielt høytemperaturisolasjonsdeksel.Det kan effektivt unngå korrosjon av metallløsning på elektriske varmeelementer (inkludert silisiumstenger, elektriske varmeovnstråder, etc.), og hovedanvendelsen av silisiumkarbidbeskyttelsesrør med forskjellige indikatorer som er bedre enn de til forskjellige grafittprodukter har termisk ledningsevne, oksidasjonsmotstand, varmestøtmotstand og høy temperaturbestandighet
Produksjonsteknologi for ovnsrør av silisiumkarbid
Produktet er silisiumkarbid som hovedråstoff, gjennom den spesielle prosessen med høytemperatursteking av utmerkede silisiumkarbidprodukter, kan lengdestandarden tilpasses i henhold til kundenes faktiske behov.
Den første bruken avovnsrør av silisiumkarbid
Mye brukt i trening av ikke-jernholdige metaller, aluminiumsprodukter avgassingssystem, trykking og farging maskineri, sink og aluminiumsopplæring og produktbehandling og andre yrker.
Industriell utvikling av silisiumkarbid ovnsrør
Silisiumkarbidovnsrør har egenskapene til høy inngangsimpedans, lav støy, god linearitet, etc. Det er en av de raskt utviklende silisiumkarbidenhetene for tiden, og den har blitt kommersialisert først.Sammenlignet med MOSFET-komponenter har ikke JFET-komponenter pålitelighetsproblemene forårsaket av gate oksygenlagdefekter og begrensning av lav bærermobilitet, og opprettholder god høyfrekvent operasjonsevne på grunn av unipolare driftsegenskaper.I tillegg har JFET-enheter god driftsstabilitet og pålitelighet ved høye temperaturer.På grunn av strukturen til portelektroden til silisiumkarbid JFET-enheten, er terskelspenningen til JFET vanligvis negativ, det vil si at det er mer vanlige enheter, noe som er ekstremt ugunstig for dens anvendelse innen kraftelektronikk, og er inkompatibel med gjeldende universelle drivkrets.Ved å introdusere enhetsteknologien med sporinjeksjon eller mesa-sporstruktur, utvikles den forbedrede enheten med normal driftstilstand.Men siden de forbedrede enhetene for det meste dannes på bekostning av en viss frontmotstandsegenskaper, er det lett å oppnå høyere effekttetthet og strømkapasitet til JFET med konstant brudd (uttømming), og metoden for å koble uttømmingen type JFET-enheter til den kaskadede øvre kjeden oppnås ved å koble lavspente Si-klasse MOSFET-er i serie.Drivkretsen til en kaskadet JFET-enhet er naturlig kompatibel med drivkretsen til en generell silisiumenhet.Kaskadestrukturen er veldig egnet for situasjoner med høy spenning og høy utgang, snarere enn tradisjonelle silisium IGBT-enheter, og unngår direkte kompatibilitetsproblemet til drivkretsen.
Fordelene med silisiumkarbid er som følger.
1, varmeoverføringsfunksjonen er god, rørveggen er tynn (bare noen få millimeter), responsen på produkttemperaturen er veldig varm;
2, ikke påvirket av korrosjon
3, høy temperatur ikke oppløses, metall flytende forurensningsfri;
4, kan brukes til å løse opp natrium og strontium rik legering;
5, produktets utseende er ikke festet til slaggen, beskyttelsen er veldig enkel;
6, høy temperatur motstand 1600;
7. Sterk motstand mot termisk sjokk
8, høy hardhet, ikke lett å bryte
9 Kostnadseffektiv, liv på mer enn et halvt år.
Ovennevnte er ytelsesegenskapene til silisiumkarbidovnsrør, hvis du trenger å vite mer, kan du gjerne kontakte oss!
Innleggstid: 24. august 2023