For tiden er forberedelsesmetoder forSiC-belegginkluderer hovedsakelig gel-sol metode, innstøpingsmetode, børstebeleggingsmetode, plasmasprøytemetode, kjemisk gassreaksjonsmetode (CVR) og kjemisk dampavsetningsmetode (CVD).
Innbyggingsmetode:
Metoden er en slags høytemperatur fastfasesintring, som hovedsakelig bruker blandingen av Si-pulver og C-pulver som innstøpingspulver, grafittmatrisen plasseres i innstøpingspulveret, og høytemperatursintringen utføres i inertgassen. , og til sluttSiC-beleggoppnås på overflaten av grafittmatrisen.Prosessen er enkel og kombinasjonen mellom belegget og underlaget er god, men jevnheten i belegget langs tykkelsesretningen er dårlig, noe som er lett å produsere flere hull og fører til dårlig oksidasjonsmotstand.
Børstebeleggingsmetode:
Børstebeleggmetoden er hovedsakelig å børste det flytende råmaterialet på overflaten av grafittmatrisen, og deretter herde råmaterialet ved en viss temperatur for å forberede belegget.Prosessen er enkel og kostnadene er lave, men belegget tilberedt med børstebeleggingsmetoden er svakt i kombinasjon med underlaget, beleggets jevnhet er dårlig, belegget er tynt og oksidasjonsmotstanden er lav, og andre metoder er nødvendige for å hjelpe den.
Plasma sprøytemetode:
Plasmasprøytemetoden er hovedsakelig å sprøyte smeltede eller halvsmeltede råmaterialer på overflaten av grafittmatrisen med en plasmapistol, og deretter størkne og binde for å danne et belegg.Metoden er enkel å betjene og kan fremstille et relativt tett silisiumkarbidbelegg, men silisiumkarbidbelegget fremstilt ved metoden er ofte for svakt og fører til svak oksidasjonsmotstand, så det brukes vanligvis til fremstilling av SiC komposittbelegg for å forbedre kvaliteten på belegget.
Gel-sol metode:
Gel-sol-metoden er hovedsakelig å fremstille en jevn og gjennomsiktig solløsning som dekker overflaten av matrisen, tørker til en gel og deretter sintring for å oppnå et belegg.Denne metoden er enkel å betjene og lav i pris, men belegget som produseres har noen mangler som lav termisk støtmotstand og lett sprekkdannelse, så det kan ikke brukes mye.
Kjemisk gassreaksjon (CVR):
CVR genererer hovedsakeligSiC-beleggved å bruke Si- og SiO2-pulver for å generere SiO-damp ved høy temperatur, og en rekke kjemiske reaksjoner oppstår på overflaten av C-materialsubstratet.DeSiC-beleggfremstilt ved denne metoden er tett bundet til substratet, men reaksjonstemperaturen er høyere og kostnadene er høyere.
Kjemisk dampavsetning (CVD):
For tiden er CVD hovedteknologien for forberedelseSiC-beleggpå underlagets overflate.Hovedprosessen er en serie fysiske og kjemiske reaksjoner av gassfasereaktantmateriale på substratoverflaten, og til slutt blir SiC-belegget fremstilt ved avsetning på substratoverflaten.SiC-belegget fremstilt av CVD-teknologi er tett bundet til overflaten av substratet, noe som effektivt kan forbedre oksidasjonsmotstanden og ablasjonsmotstanden til substratmaterialet, men avsetningstiden for denne metoden er lengre, og reaksjonsgassen har en viss giftig gass.
Innleggstid: Nov-06-2023