Semicera leverer spesialiserte tantalkarbid (TaC) belegg for ulike komponenter og bærere.Semicera ledende belegningsprosess gjør det mulig for tantalkarbid (TaC)-belegg å oppnå høy renhet, høy temperaturstabilitet og høy kjemisk toleranse, noe som forbedrer produktkvaliteten til SIC/GAN-krystaller og EPI-lag (Grafittbelagt TaC-susceptor), og forlenge levetiden til sentrale reaktorkomponenter.Bruken av tantalkarbid-TAC-belegg er å løse kantproblemet og forbedre kvaliteten på krystallvekst, og Semicera har gjennombrudd løst tantalkarbidbeleggteknologien (CVD), og nådde det internasjonale avanserte nivået.
Grafitt er et utmerket høytemperaturmateriale, men det oksiderer lett ved høye temperaturer.Selv i vakuumovner med inertgass kan den fortsatt gjennomgå langsom oksidasjon.Ved å bruke et CVD-tantalkarbid (TaC)-belegg kan grafittsubstratet effektivt beskyttes, og gir samme høytemperaturmotstand som grafitt.TaC er også et inert materiale, noe som betyr at det ikke vil reagere med gasser som argon eller hydrogen ved høye temperaturer.ForespørselTantalkarbid CVD-belegg EPI Susceptor nå!
Etter år med utvikling har Semicera erobret teknologien tilCVD TaCmed felles innsats fra FoU-avdelingen.Defekter er lett å oppstå i vekstprosessen til SiC-skiver, men etter brukTaC, forskjellen er betydelig.Nedenfor er en sammenligning av wafere med og uten TaC, samt Simiceras deler for enkeltkrystallvekst.
med og uten TaC
Etter bruk av TaC (høyre)
Dessuten SemicerasTaC-belagte produkterviser lengre levetid og større motstand mot høye temperaturer sammenlignet medSiC-belegg.Laboratoriemålinger har vist at vårTaC-beleggkan konsekvent fungere ved temperaturer opp til 2300 grader Celsius i lengre perioder.Nedenfor er noen eksempler på våre eksempler:
