-
Utforsking av halvledersilisiumkarbid-epitaksiale disker: Ytelsesfordeler og applikasjonsutsikter
I dagens felt av elektronisk teknologi spiller halvledermaterialer en avgjørende rolle. Blant dem, silisiumkarbid (SiC) som et halvledermateriale med bredt båndgap, med sine utmerkede ytelsesfordeler, for eksempel høyt sammenbrudd elektrisk felt, høy metningshastighet, h...Les mer -
Grafitthard filt – innovativt materiale, åpner en ny æra av vitenskap og teknologi
Som et nytt materiale grafitt hard filt, er produksjonsprosessen ganske unik. Under blandings- og tovingsprosessen samhandler grafenfibre og glassfibre for å danne et nytt materiale som beholder både den høye elektriske ledningsevnen og høye styrken til grafen og ...Les mer -
Hva er halvleder silisiumkarbid (SiC) wafer
Halvleder silisiumkarbid (SiC) wafere, dette nye materialet har gradvis dukket opp de siste årene, med sine unike fysiske og kjemiske egenskaper, injisert en ny vitalitet for halvlederindustrien. SiC-wafere, som bruker monokrystaller som råmateriale, er nøye g...Les mer -
Produksjonsprosess for silisiumkarbidwafer
Silisiumkarbidwafer er laget av høyrent silisiumpulver og høyrent karbonpulver som råmateriale, og silisiumkarbidkrystall dyrkes ved fysisk dampoverføringsmetode (PVT), og bearbeides til silisiumkarbidwafer. ① Råvaresyntese. Sili med høy renhet...Les mer -
Silisiumkarbidbelegg: halvlederindustriens nye kjære
Med den raske utviklingen av halvlederindustrien er det nye materialet silisiumkarbid (SiC) belegget gradvis i ferd med å bli stjernematerialet i industrien. Silisiumkarbidbelagt grafitt er mye brukt i høytemperatur/høyspente halvleder elektroniske produkter...Les mer -
Silisiumkarbidbelegg: Nye gjennombrudd innen materialvitenskap
Med utviklingen av vitenskap og teknologi endrer det nye materialet silisiumkarbidbelegg gradvis livene våre. Dette belegget, som er preparert på overflaten av deler ved fysisk eller kjemisk dampavsetning, sprøyting og andre metoder, har tiltrukket seg stor oppmerksomhet...Les mer -
SiC-belagt grafittfat
Som en av kjernekomponentene i MOCVD-utstyr, er grafittbasen bæreren og varmelegemet til underlaget, som direkte bestemmer jevnheten og renheten til filmmaterialet, slik at kvaliteten direkte påvirker forberedelsen av epitaksialarket, og ved . ..Les mer -
Metode for fremstilling av silisiumkarbidbelegg
For tiden inkluderer fremstillingsmetodene for SiC-belegg hovedsakelig gel-sol-metoden, innstøpingsmetoden, børstebeleggmetoden, plasmasprøytemetoden, kjemisk gassreaksjonsmetode (CVR) og kjemisk dampavsetningsmetode (CVD). Innebyggingsmetode: Metoden er en slags høy...Les mer -
Gratulerer til vår (Semicera), partner, SAN 'an Optoelectronics, med oppgangen i aksjekursen
24. oktober -- Aksjene i San'an Optoelectronics klatret så mye som 3,8 i dag etter at den kinesiske halvlederprodusenten sa at deres silisiumkarbidfabrikk, som vil forsyne firmaets autobrikke joint venture med den sveitsiske teknologigiganten ST Microelectronics når den er ferdig. .Les mer -
Forholdsregler for bruk av alumina keramiske strukturelle deler
De siste årene har alumina-keramikk blitt mye brukt i avanserte felt som instrumentering, matmedisinsk behandling, solcellepaneler, mekaniske og elektriske apparater, laserhalvledere, petroleumsmaskineri, militær bilindustri, romfart og andre ...Les mer -
Materialstruktur og egenskaper til sintret silisiumkarbid under atmosfærisk trykk
【 Sammendragsbeskrivelse 】 I moderne C, N, B og andre ikke-oksiderte høyteknologiske ildfaste råmaterialer er sintret silisiumkarbid med atmosfærisk trykk omfattende og økonomisk, og kan sies å være smergel eller ildfast sand. Ren silisiumkarbid er fargeløs gjennomsiktig kr...Les mer -
Produksjonsmetode for transport av enhet av silisiumkarbidovnsrør
Silisiumkarbidovnsrør har høy temperatur, slitestyrke, korrosjonsbestandighet, høy hardhet, høy styrke, høy termisk ledningsevne, høy kald og varm plutselig endringsytelse, god oksidasjonsmotstand og andre utmerkede egenskaper, i en rekke varme ...Les mer