Silisiumkarbid ovnsrørhar fordelene med høy styrke, høy hardhet, god slitestyrke, høy temperaturbestandighet, korrosjonsbestandighet, god termisk sjokkmotstand, høy varmeledningsevne, god oksidasjonsmotstand og så videre. Hovedsakelig brukt i mellomfrekvent støping, ulike varmebehandlingsovner, metallurgi, kjemisk industri, ikke-jernholdig metallsmiing og andre yrker.Silisiumkarbid ovnsrører mye brukt i metallurgisk sintringsovn og mellomfrekvent oppvarmingsstøpeovn, og lengden kan tilpasses i henhold til de faktiske behovene til stedet.
Kjennetegn påovnsrør av silisiumkarbid
Silisiumkarbidovnsrør er et utmerket produkt av silisiumkarbid sintret ved høy temperatur med silisiumkarbid som hovedråstoff. Den har fordelene med høy temperaturbestandighet, korrosjonsbestandighet, rask termisk ledningsevne, høy styrke, høy hardhet, god slitestyrke, god termisk støtmotstand, stor termisk ledningsevne, god oksidasjonsmotstand og så videre. Begge ender er utstyrt med spesielle høytemperaturisolasjonsbøssinger, korrosjon av metallløsning til elektriske varmeelementer (inkludert silisiumkarbidstang, elektrisk ovnstråd, etc.) kan effektivt unngås, og indikatorene er bedre enn alle typer grafittprodukter . Silisiumkarbidovnsrøret har termisk ledningsevne, oksidasjonsmotstand, termisk støtmotstand, høy temperatur slitestyrke, god kjemisk stabilitet, sterk syrebestandighet, ingen reaksjon på sterk syre og alkali.
Silisiumkarbid ovnsrørproduksjonsteknologi: det ferdige produktet tar silisiumkarbid som det primære råstoffet, og er et utmerket ferdig produkt av silisiumkarbid brent av spesiell teknologi ved høy temperatur. Lengdestandarden kan tilpasses i henhold til kundenes faktiske behov. De viktigste bruksområdene for silisiumkarbidovnsrør: mye brukt i trening av ikke-jernholdige metaller, avgassingssystem for aluminiumsprodukter, trykk- og fargingsmaskineri, opplæring i sink og aluminium og behandling av ferdige produkter.
Industriell utvikling av silisiumkarbid
Silisiumkarbid har egenskapene til høy inngangsimpedans, lav støy, god linearitet, etc., er en av de raskt utviklende silisiumkarbidtilbehørene, og den første som oppnår kommersialisering. Sammenlignet med MOSFET-er er det ingen pålitelighetsproblemer forårsaket av gateoksiddefekter og begrensninger for lav bærermobilitet, og dens unipolare driftsegenskaper opprettholder god høyfrekvent operasjonsevne. I tillegg har silisiumkarbidforbindelsesstrukturen bedre stabilitet og pålitelighet ved høye temperaturer, slik at terskelspenningen vanligvis er negativ, det vil si den normalt åpne enheten, som er ekstremt ugunstig for kraftelektronikkapplikasjoner, og ikke er kompatibel med gjeldende vanlige drivkrets. Ved å introdusere teknologien til sporinjeksjonsanordning, utvikles den forbedrede enheten under normal av-tilstand. Imidlertid dannes forbedrede enheter ofte på bekostning av visse positive på-motstandsegenskaper, så normalt åpne (utarmingstype) er lettere å oppnå høyere effekttetthet og strømkapasitet, og uttømmingstype kan oppnås ved å bryte normalt av driftstilstand. Kaskademetoden implementeres gjennom en serie lavspente silisiumbaserte MOSFET-er. Den kaskadede drivkretsen er naturlig kompatibel med drivkretsen for generell silisiumenhet. Denne kaskadestrukturen er veldig egnet for å erstatte det originale silisiumet i høyspennings- og høyeffekttilfeller, og unngår direkte kompatibilitetsproblemet til drivkretsen.
Innleggstid: 25. september 2023