-
Lær om gjennom silisium via (TSV) og gjennom glass via (TGV) teknologi i én artikkel
Emballasjeteknologi er en av de viktigste prosessene i halvlederindustrien. I henhold til formen på pakken kan den deles inn i stikkontaktpakke, overflatemonteringspakke, BGA-pakke, brikkestørrelsespakke (CSP), enkeltbrikkemodulpakke (SCM, gapet mellom ledningene på ...Les mer -
Chip Manufacturing: Etseutstyr og prosess
I halvlederproduksjonsprosessen er etseteknologi en kritisk prosess som brukes til å nøyaktig fjerne uønskede materialer på underlaget for å danne komplekse kretsmønstre. Denne artikkelen vil introdusere to vanlige etseteknologier i detalj – kapasitivt koblet plasma...Les mer -
Detaljert prosess for produksjon av silisiumwafer-halvledere
Sett først polykrystallinsk silisium og tilsetningsstoffer inn i kvartsdigelen i enkeltkrystallovnen, øk temperaturen til mer enn 1000 grader og oppnå polykrystallinsk silisium i smeltet tilstand. Silisiumbarrevekst er en prosess for å gjøre polykrystallinsk silisium til enkeltkrystalls...Les mer -
Fordeler med båtstøtte i silisiumkarbid sammenlignet med båtstøtte i kvarts
Hovedfunksjonene til silisiumkarbidbåtstøtte og kvartsbåtstøtte er de samme. Silisiumkarbidbåtstøtte har utmerket ytelse, men høy pris. Det utgjør et alternativt forhold til kvartsbåtstøtte i batteribehandlingsutstyr med tøffe arbeidsforhold (som f.Les mer -
Anvendelse av silisiumkarbidkeramikk i halvlederfeltet
Halvledere: Halvlederindustrien følger industriloven om "én generasjon teknologi, en generasjon prosess og en generasjon utstyr", og oppgraderingen og iterasjonen av halvlederutstyr avhenger i stor grad av det teknologiske gjennombruddet av presisjon ...Les mer -
Introduksjon til glassaktig karbonbelegg av halvlederkvalitet
I. Introduksjon til glassaktig karbonstruktur Kjennetegn: (1) Overflaten av glassaktig karbon er glatt og har en glassaktig struktur; (2) Glassaktig karbon har høy hardhet og lav støvgenerering; (3) Glassaktig karbon har en stor ID/IG-verdi og en svært lav grad av grafitisering, og dets termiske isolasjon...Les mer -
Ting om produksjon av silisiumkarbidenheter (del 2)
Ioneimplantasjon er en metode for å tilsette en viss mengde og type urenheter i halvledermaterialer for å endre deres elektriske egenskaper. Mengden og fordelingen av urenheter kan kontrolleres nøyaktig. Del 1 Hvorfor bruke ioneimplantasjonsprosess ved produksjon av krafthalvleder...Les mer -
Produksjonsprosess for SiC silisiumkarbidenhet (1)
Som vi vet, i halvlederfeltet, er enkeltkrystallsilisium (Si) det mest brukte og største volumet av halvlederbasismaterialet i verden. For tiden er mer enn 90 % av halvlederproduktene produsert ved bruk av silisiumbaserte materialer. Med den økende etterspørselen etter høyeffekts og...Les mer -
Silisiumkarbid keramisk teknologi og dens anvendelse i solcellefeltet
I. Silisiumkarbidstruktur og egenskaper Silisiumkarbid SiC inneholder silisium og karbon. Det er en typisk polymorf forbindelse, hovedsakelig inkludert α-SiC (høytemperaturstabil type) og β-SiC (lavtemperaturstabil type). Det er mer enn 200 polymorfer, blant dem 3C-SiC av β-SiC og 2H-...Les mer -
De allsidige bruksområdene for stiv filt i avanserte materialer
Stiv filt dukker opp som et avgjørende materiale i ulike industrielle applikasjoner, spesielt i produksjon av C/C-kompositter og høyytelseskomponenter. Som et valgfritt produkt for mange produsenter, er Semicera stolte av å tilby stiv filt av toppkvalitet som oppfyller de krevende kravene...Les mer -
Utforske bruksområder og fordeler med C/C-komposittmaterialer
C/C-komposittmaterialer, også kjent som Carbon Carbon Composites, får bred oppmerksomhet i ulike høyteknologiske industrier på grunn av deres unike kombinasjon av lettvektsstyrke og motstand mot ekstreme temperaturer. Disse avanserte materialene er laget ved å forsterke en karbonmatrise med...Les mer -
Hva er en wafer padle
I riket av halvlederproduksjon spiller wafer-padlen en sentral rolle for å sikre effektiv og presis håndtering av wafere under ulike prosesser. Den brukes hovedsakelig i (diffusjons)beleggingsprosessen av polykrystallinske silisiumskiver eller monokrystallinske silisiumskiver i diffusjonen...Les mer