Tantalkarbid (TaC) belagt wafer Susceptor

Kort beskrivelse:

Tantalkarbidbelegg er en avansert overflatebeleggingsteknologi som bruker tantalkarbidmateriale for å danne et hardt, slitesterkt og korrosjonsbestandig beskyttende lag på overflaten av underlaget. Dette belegget har utmerkede egenskaper som øker materialets hardhet, høye temperaturbestandighet og kjemikaliebestandighet betydelig, samtidig som det reduserer friksjon og slitasje. Tantalkarbidbelegg er mye brukt i ulike felt, inkludert industriell produksjon, romfart, bilteknikk og medisinsk utstyr, for å forlenge materiallevetiden, forbedre produksjonseffektiviteten og redusere vedlikeholdskostnadene. Enten det beskytter metalloverflater mot korrosjon eller forbedrer slitestyrken og oksidasjonsmotstanden til mekaniske deler, gir tantalkarbidbelegg en pålitelig løsning for en rekke bruksområder.


Produktdetaljer

Produktetiketter

Semicera leverer spesialiserte tantalkarbid (TaC) belegg for ulike komponenter og bærere.Semicera ledende belegningsprosess gjør det mulig for tantalkarbid (TaC)-belegg å oppnå høy renhet, høy temperaturstabilitet og høy kjemisk toleranse, noe som forbedrer produktkvaliteten til SIC/GAN-krystaller og EPI-lag (Grafittbelagt TaC-susceptor), og forlenge levetiden til nøkkelreaktorkomponenter. Bruken av tantalkarbid TaC-belegg er å løse kantproblemet og forbedre kvaliteten på krystallvekst, og Semicera Semicera har gjennombrudd løst tantalkarbidbeleggteknologien (CVD), og nådde det internasjonale avanserte nivået.

 

Etter år med utvikling har Semicera erobret teknologien tilCVD TaCmed felles innsats fra FoU-avdelingen. Defekter er lett å oppstå i vekstprosessen til SiC-skiver, men etter brukTaC, forskjellen er betydelig. Nedenfor er en sammenligning av wafere med og uten TaC, samt Simiceras deler for enkeltkrystallvekst

微信图片_20240227150045

med og uten TaC

微信图片_20240227150053

Etter bruk av TaC (høyre)

I tillegg er levetiden til Semiceras TaC-beleggsprodukter lengre og mer motstandsdyktig mot høye temperaturer enn SiC-belegg. Etter lang tid med laboratoriemålingsdata kan vår TaC fungere lenge ved maksimalt 2300 grader Celsius. Følgende er noen av våre eksempler:

微信截图_20240227145010

(a) Skjematisk diagram av SiC-enkelkrystall-barredyrkingsanordning ved PVT-metode (b) Topp TaC-belagt frøbrakett (inkludert SiC-frø) (c) TAC-belagt grafittstyrering

ZDFVzCFV
Hovedtrekk
Semicera Arbeidsplass
Semicera arbeidsplass 2
Utstyr maskin
CNN-behandling, kjemisk rengjøring, CVD-belegg
Vår tjeneste

  • Tidligere:
  • Neste: