Semicera introduserer høykvalitets halvlederutkragende skovler av silisiumkarbid, designet for å møte de strenge kravene til moderne halvlederproduksjon.
Depadle av silisiumkarbidhar en avansert design som minimerer termisk ekspansjon og vridning, noe som gjør den svært pålitelig under ekstreme forhold. Dens robuste konstruksjon gir økt holdbarhet, reduserer risikoen for brudd eller slitasje, noe som er avgjørende for å opprettholde høye utbytter og jevn produksjonskvalitet. Deoblatbåtdesign integreres også sømløst med standard halvlederbehandlingsutstyr, noe som sikrer kompatibilitet og brukervennlighet.
En av de fremtredende funksjonene til SemiceraSiC-åreer dens kjemiske motstand, som gjør at den kan yte eksepsjonelt godt i miljøer som er utsatt for etsende gasser og kjemikalier. Semiceras fokus på tilpasning gir mulighet for skreddersydde løsninger.
| Fysiske egenskaper til omkrystallisert silisiumkarbid | |
| Eiendom | Typisk verdi |
| Arbeidstemperatur (°C) | 1600°C (med oksygen), 1700°C (reduserende miljø) |
| SiC innhold | > 99,96 % |
| Gratis Si-innhold | < 0,1 % |
| Bulk tetthet | 2,60-2,70 g/cm3 |
| Tilsynelatende porøsitet | < 16 % |
| Kompresjonsstyrke | > 600 MPa |
| Kald bøyestyrke | 80–90 MPa (20 °C) |
| Varmbøyningsstyrke | 90-100 MPa (1400 °C) |
| Termisk ekspansjon @1500°C | 4,70 10-6/°C |
| Termisk ledningsevne @1200°C | 23 W/m•K |
| Elastisk modul | 240 GPa |
| Motstand mot termisk sjokk | Ekstremt bra |
