Semicera høy renhetPadle i silisiumkarbider omhyggelig konstruert for å møte de strenge kravene til moderne halvlederproduksjonsprosesser. DetteSiC Cantilever Paddleutmerker seg i miljøer med høy temperatur, og tilbyr uovertruffen termisk stabilitet og mekanisk holdbarhet. SiC Cantilever-strukturen er bygget for å tåle ekstreme forhold, og sikrer pålitelig wafer-håndtering gjennom ulike prosesser.
En av de viktigste nyvinningene tilSiC Padleer dens lette, men robuste design, som muliggjør enkel integrering i eksisterende systemer. Dens høye termiske ledningsevne bidrar til å opprettholde waferstabiliteten under kritiske faser som etsing og avsetning, minimerer risikoen for waferskade og sikrer høyere produksjonsutbytte. Bruken av silisiumkarbid med høy tetthet i skovlkonstruksjonen øker motstanden mot slitasje, og gir forlenget levetid og reduserer behovet for hyppige utskiftninger.
Semicera legger stor vekt på innovasjon, og leverer enSiC Cantilever Paddlesom ikke bare oppfyller, men overgår industristandarder. Denne padlen er optimalisert for bruk i ulike halvlederapplikasjoner, fra avsetning til etsing, hvor presisjon og pålitelighet er avgjørende. Ved å integrere denne banebrytende teknologien kan produsenter forvente forbedret effektivitet, reduserte vedlikeholdskostnader og konsekvent produktkvalitet.
| Fysiske egenskaper til omkrystallisert silisiumkarbid | |
| Eiendom | Typisk verdi |
| Arbeidstemperatur (°C) | 1600°C (med oksygen), 1700°C (reduserende miljø) |
| SiC innhold | > 99,96 % |
| Gratis Si-innhold | < 0,1 % |
| Bulk tetthet | 2,60-2,70 g/cm3 |
| Tilsynelatende porøsitet | < 16 % |
| Kompresjonsstyrke | > 600 MPa |
| Kald bøyestyrke | 80–90 MPa (20 °C) |
| Varmbøyningsstyrke | 90-100 MPa (1400 °C) |
| Termisk ekspansjon @1500°C | 4,70 10-6/°C |
| Termisk ledningsevne @1200°C | 23 W/m•K |
| Elastisk modul | 240 GPa |
| Motstand mot termisk sjokk | Ekstremt bra |
