Beskrivelse
Grafittsusceptoren medSilisiumkarbidbelegg, 6 stk6 tommers wafer Carrierfra semicera tilbyr eksepsjonell holdbarhet og termisk ledningsevne for epitaksial vekstapplikasjoner med høy ytelse. Semicera spesialiserer seg på avanserte susceptorer designet for å forbedre prosesser somSi EpitaksiogSiC Epitaksi, som sikrer pålitelig ytelse i krevende halvledermiljøer.
Denne susceptoren er spesielt utviklet for bruk medMOCVD Susceptorsystemer og tilbyr kompatibilitet med forskjellige operatører som PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier og RTP Carrier. Den er ideell for monokrystallinsk silisiumproduksjon og LED Epitaxial Susceptor-oppsett, og tilbyr allsidighet i forskjellige konfigurasjoner, inkludert Barrel Susceptor og Pancake Susceptor-design.
Grafittsusceptoren med silisiumkarbidbelegg støtter også applikasjoner i solenergisektoren gjennom sin integrasjon med fotovoltaiske deler og utmerker seg i GaN på SiC-epitaxy-prosesser. Dens 6-tommers wafer-bærerkapasitet sikrer høy gjennomstrømning, noe som gjør den til et viktig verktøy for produsenter i halvleder- og solcelleindustrien.
Hovedfunksjoner
1. Høy renhet SiC-belagt grafitt
2. Overlegen varmebestandighet og termisk jevnhet
3. FintSiC krystallbelagtfor en jevn overflate
4. Høy holdbarhet mot kjemisk rengjøring
Hovedspesifikasjoner for CVD-SIC belegg:
SiC-CVD | ||
Tetthet | (g/cc) | 3.21 |
Bøyestyrke | (Mpa) | 470 |
Termisk ekspansjon | (10-6/K) | 4 |
Termisk ledningsevne | (W/mK) | 300 |
Pakking og frakt
Forsyningsevne:
10 000 stykker/stykker per måned
Emballasje og levering:
Pakking: Standard og sterk emballasje
Polypose + Eske + Kartong + Pall
Havn:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Ledetid:
Antall (stykker) | 1-1000 | >1000 |
Est. Tid (dager) | 30 | Skal forhandles |