Introduksjon til silisiumkarbidbelegg
Vårt kjemiske dampavsetning (CVD) silisiumkarbid (SiC)-belegg er et svært slitesterkt og slitesterkt lag, ideelt for miljøer som krever høy korrosjons- og termisk motstand.Silisiumkarbidbeleggpåføres i tynne lag på ulike underlag gjennom CVD-prosessen, og gir overlegne ytelsesegenskaper.
Nøkkelfunksjoner
● -Eksepsjonell renhet: Med en ultraren komposisjon av99,99995 %, vårSiC beleggminimerer forurensningsrisiko i sensitive halvlederoperasjoner.
● - Overlegen motstand: Utviser utmerket motstand mot både slitasje og korrosjon, noe som gjør den perfekt for utfordrende kjemiske og plasmainnstillinger.
● -Høy termisk ledningsevne: Sikrer pålitelig ytelse under ekstreme temperaturer på grunn av sine enestående termiske egenskaper.
● -Dimensjonsstabilitet: Opprettholder strukturell integritet over et bredt temperaturområde, takket være den lave termiske ekspansjonskoeffisienten.
● -Forbedret hardhet: Med en hardhetsgrad på40 GPa, vår SiC-belegg tåler betydelig støt og slitasje.
● -Glatt overflatefinish: Gir en speillignende finish, reduserer partikkelgenerering og forbedrer driftseffektiviteten.
Søknader
Semicera SiC-beleggbrukes i ulike stadier av halvlederproduksjon, inkludert:
● -LED-brikkefremstilling
● -Polysilisium produksjon
● -Halvlederkrystallvekst
● -Silisium og SiC epitaksi
● -Termisk oksidasjon og diffusjon (TO&D)
Vi leverer SiC-belagte komponenter laget av isostatisk grafitt med høy styrke, karbonfiberforsterket karbon og 4N omkrystallisert silisiumkarbid, skreddersydd for reaktorer med fluidisert sjikt,STC-TCS-omformere, CZ-enhetsreflektorer, SiC wafer båt, SiCwafer padle, SiC wafer tube og wafer carriers brukt i PECVD, silisium epitaksi, MOCVD prosesser.
Fordeler
● -Forlenget levetid: Reduserer utstyrets nedetid og vedlikeholdskostnader betydelig, noe som øker den totale produksjonseffektiviteten.
● -Forbedret kvalitet: Oppnår overflater med høy renhet som er nødvendige for halvlederbehandling, og øker dermed produktkvaliteten.
● -Økt effektivitet: Optimaliserer termiske og CVD-prosesser, noe som resulterer i kortere syklustider og høyere utbytte.
Tekniske spesifikasjoner
● -Struktur: FCC β-fase polykrystallinsk, hovedsakelig (111)orientert
● -Tetthet: 3,21 g/cm³
● -Hardhet: 2500 Vickes hardhet (500g belastning)
● -bruddseighet: 3,0 MPa·m1/2
● -Termisk ekspansjonskoeffisient (100–600 °C): 4,3 x 10-6k-1
● -Elastisk modul(1300 ℃):435 GPa
● -Typisk filmtykkelse:100 µm
● -Overflateruhet:2-10 µm
Renhetsdata (målt ved glødeutladningsmassespektroskopi)
| Element | ppm | Element | ppm |
| Li | < 0,001 | Cu | < 0,01 |
| Be | < 0,001 | Zn | < 0,05 |
| Al | < 0,04 | Ga | < 0,01 |
| P | < 0,01 | Ge | < 0,05 |
| S | < 0,04 | As | < 0,005 |
| K | < 0,05 | In | < 0,01 |
| Ca | < 0,05 | Sn | < 0,01 |
| Ti | < 0,005 | Sb | < 0,01 |
| V | < 0,001 | W | < 0,05 |
| Cr | < 0,05 | Te | < 0,01 |
| Mn | < 0,005 | Pb | < 0,01 |
| Fe | < 0,05 | Bi | < 0,05 |
| Ni | < 0,01 |
|
