Anti-oksidasjonshøyrent SiC-belagt MOCVD-brett

Kort beskrivelse:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. er en ledende leverandør som spesialiserer seg på wafer og avanserte halvlederforbruksvarer.Vi er dedikert til å levere høykvalitets, pålitelige og innovative produkter til halvlederproduksjon,solcelleindustrienog andre relaterte felt.

Vår produktlinje inkluderer SiC/TaC-belagte grafittprodukter og keramiske produkter, som omfatter forskjellige materialer som silisiumkarbid, silisiumnitrid og aluminiumoksid og etc.

Som en pålitelig leverandør forstår vi viktigheten av forbruksvarer i produksjonsprosessen, og vi er forpliktet til å levere produkter som oppfyller de høyeste kvalitetsstandardene for å oppfylle våre kunders behov.

Send e-post til oss

Produktdetaljer

Produktetiketter

Beskrivelse

Vårt firma tilbyrSiC beleggprosesstjenester ved hjelp av CVD-metoden på overflaten av grafitt, keramikk og andre materialer, slik at spesielle gasser som inneholder karbon og silisium reagerer ved høy temperatur for å oppnå høy renhet SiC-molekyler, molekyler avsatt på overflaten av de belagte materialene, og danner enSiC beskyttelseslag.

Hovedfunksjoner

1. Høy temperatur oksidasjonsmotstand:
oksidasjonsmotstanden er fortsatt veldig god når temperaturen er så høy som 1600 C.
2. Høy renhet: laget av kjemisk dampavsetning under høytemperatur kloreringsforhold.
3. Erosjonsbestandighet: høy hardhet, kompakt overflate, fine partikler.
4. Korrosjonsbestandighet: syre, alkali, salt og organiske reagenser.

Hovedspesifikasjoner for CVD-SIC belegg

SiC-CVD-egenskaper
Krystallstruktur	FCC β-fase
Tetthet	g/cm³	3.21
Hardhet	Vickers hardhet	2500
Kornstørrelse	μm	2~10
Kjemisk renhet	%	99,99995
Varmekapasitet	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Feleksural styrke	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt bøy, 1300 ℃)	430
Termisk ekspansjon (CTE)	10-6K-1	4.5
Termisk ledningsevne	(W/mK)	300